SIDR220DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SIDR220DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIDR220DP-T1-GE3 nach Preis ab 2.92 EUR bis 6.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIDR220DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 480µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIDR220DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR220DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Verlustleistung: 125 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480 Qualifikation: - SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 72 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIDR220DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SIDR220DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 10 V |
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