SIDR610DP-T1-RE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
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Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0239
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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Technische Details SIDR610DP-T1-RE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39.6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0239, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SIDR610DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR610DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 125 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0239 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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| SIDR610DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
SIDR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIDR610DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V |
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SIDR610DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V |
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SIDR610DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET |
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