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Technische Details SIHA125N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm.
Weitere Produktangebote SIHA125N60EF-GE3 nach Preis ab 6.15 EUR bis 10.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIHA125N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533 pF @ 100 V |
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SIHA125N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA125N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.109 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm |
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SIHA125N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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SIHA125N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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SIHA125N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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SIHA125N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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| SIHA125N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 179W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 66A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A On-state resistance: 0.125Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIHA125N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 66A; 179W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 179W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 66A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A On-state resistance: 0.125Ω |
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