auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 6.5 EUR |
| 10+ | 5.75 EUR |
| 25+ | 5.2 EUR |
| 100+ | 4.52 EUR |
| 250+ | 4.37 EUR |
| 500+ | 4 EUR |
| 1000+ | 3.48 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHA186N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 156W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHA186N60EF-GE3 nach Preis ab 3.41 EUR bis 6.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHA186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SIHA186N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHA186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.168 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.168ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
SIHA186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
SIHA186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
SIHA186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |