SIHB11N80E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 5.81 EUR |
10+ | 4.87 EUR |
100+ | 3.94 EUR |
500+ | 3.5 EUR |
1000+ | 3 EUR |
2000+ | 2.82 EUR |
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Technische Details SIHB11N80E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIHB11N80E-GE3 nach Preis ab 2.97 EUR bis 6 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHB11N80E-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SIHB11N80E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB11N80E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB11N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB11N80E-GE3 | Hersteller : Vishay | E Series Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHB11N80E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHB11N80E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 179W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 440mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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