SIHB15N60E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 7.2 EUR |
| 10+ | 6.04 EUR |
| 100+ | 4.89 EUR |
| 1000+ | 3.72 EUR |
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Technische Details SIHB15N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHB15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 180W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHB15N60E-GE3 nach Preis ab 3.64 EUR bis 7.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SIHB15N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
auf Bestellung 2550 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHB15N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB15N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 180W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 3283 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHB15N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB15N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 180W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHB15N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 180W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 78nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |