SIHB22N60AE-GE3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
Technische Details SIHB22N60AE-GE3
Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Base Part Number: SIHB22, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451pF @ 100V, Vgs (Max): ±30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tube, Manufacturer: Vishay Siliconix.
Preis SIHB22N60AE-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) 
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-263 (D²Pak) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Base Part Number: SIHB22 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451pF @ 100V Vgs (Max): ±30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tube Manufacturer: Vishay Siliconix
|
auf Bestellung 700 Stücke  Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|