SIHF22N60E-GE3
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Technische Details SIHF22N60E-GE3
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.
Preis SIHF22N60E-GE3 ab 8.11 EUR bis 10.97 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP 
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SIHF22N60E-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube
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