SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

SIHF22N60E-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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Technische Details SIHF22N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220 Full Pack, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Preis SIHF22N60E-GE3 ab 8.11 EUR bis 10.97 EUR

SIHF22N60E-GE3
SIHF22N60E-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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SIHF22N60E-GE3
SIHF22N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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