Produkte > VISHAY SILICONIX > SIHFPS40N50L-GE3
SIHFPS40N50L-GE3

SIHFPS40N50L-GE3 Vishay Siliconix


sihfps40n50l.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 25 V
auf Bestellung 209 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+17.71 EUR
30+ 14.12 EUR
120+ 12.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIHFPS40N50L-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHFPS40N50L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 46 A, 0.087 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 540W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: Super-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote SIHFPS40N50L-GE3 nach Preis ab 11.75 EUR bis 17.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SIHFPS40N50L-GE3 SIHFPS40N50L-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sihfps40n50l.pdf MOSFET 500V N-CH
auf Bestellung 2489 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+17.81 EUR
10+ 14.27 EUR
25+ 14.25 EUR
100+ 12.74 EUR
480+ 12.71 EUR
960+ 12.01 EUR
2880+ 11.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3
SIHFPS40N50L-GE3 SIHFPS40N50L-GE3 Hersteller : VISHAY 3183561.pdf Description: VISHAY - SIHFPS40N50L-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 46 A, 0.087 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 540W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: Super-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.087ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIHFPS40N50L-GE3 Hersteller : Vishay sihfps40n50l.pdf Power MOSFET Super-247, 100 m @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
SIHFPS40N50L-GE3 Hersteller : VISHAY sihfps40n50l.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 540W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SIHFPS40N50L-GE3 Hersteller : VISHAY sihfps40n50l.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 29A; Idm: 180A; 540W; SUPER247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 540W
Case: SUPER247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar