SIHFPS40N60K-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 13.24 EUR |
10+ | 9.02 EUR |
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Technische Details SIHFPS40N60K-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHFPS40N60K-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.11 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 570W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHFPS40N60K-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIHFPS40N60K-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHFPS40N60K-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.11 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 570W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHFPS40N60K-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 40A |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHFPS40N60K-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 40A |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHFPS40N60K-GE3 | Hersteller : Vishay | MOSFET N-CHANNEL 600V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHFPS40N60K-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V |
Produkt ist nicht verfügbar |