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SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3 Vishay

sihfr1n6.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details SIHFR1N60A-GE3 Vishay

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 0.98A, Power dissipation: 36W, Case: DPAK; TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Hersteller : VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.98A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
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66+ 1.09 EUR
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SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Hersteller : VISHAY IRFR1N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.98A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.98A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
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SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Hersteller : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sihfr1n6.pdf MOSFET 600V Vds TO-252 DPAK
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SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Hersteller : Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
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