SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
auf Bestellung 3238 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 8.42 EUR |
| 10+ | 7.41 EUR |
| 25+ | 7.07 EUR |
| 100+ | 6.16 EUR |
| 250+ | 6.01 EUR |
| 500+ | 5.64 EUR |
| 1000+ | 5.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHG105N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHG105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 208W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF IV Gen, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHG105N60EF-GE3 nach Preis ab 6.03 EUR bis 9.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHG105N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1804 pF @ 100 V |
auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
SIHG105N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG105N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.088 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 208W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF IV Gen productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| SIHG105N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
Power MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |