SIHG23N60E-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
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Technische Details SIHG23N60E-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V, Packaging: Tube, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3.

Preis SIHG23N60E-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SIHG23N60E-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG23N60E-GE3
SIHG23N60E-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
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