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Technische Details SIHG47N60AE-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V.
Weitere Produktangebote SIHG47N60AE-GE3 nach Preis ab 6.14 EUR bis 12.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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SIHG47N60AE-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG47N60AE-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG47N60AE-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
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SIHG47N60AE-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3768 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIHG47N60AE-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG47N60AE-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG47N60AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 27A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIHG47N60AE-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 27A; Idm: 130A; 313W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 27A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 313W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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