SIHG47N60AEL-GE3

SIHG47N60AEL-GE3

SIHG47N60AEL-GE3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)

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Technische Details SIHG47N60AEL-GE3

Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 379W (Tc).

Preis SIHG47N60AEL-GE3 ab 19.84 EUR bis 26.55 EUR

SIHG47N60AEL-GE3
SIHG47N60AEL-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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SIHG47N60AEL-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIHG47N60AEL-GE3 THT N channel transistors
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