Produkte > VISHAY / SILICONIX > SIHG47N60E-E3
SIHG47N60E-E3

SIHG47N60E-E3 Vishay / Siliconix


sihg47n60e.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
auf Bestellung 750 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+15.33 EUR
10+ 13.16 EUR
25+ 11.93 EUR
100+ 10.96 EUR
250+ 10.33 EUR
500+ 8.82 EUR
1000+ 8.31 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SIHG47N60E-E3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm.

Weitere Produktangebote SIHG47N60E-E3 nach Preis ab 11.03 EUR bis 15.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Hersteller : Vishay Siliconix sihg47n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+15.44 EUR
25+ 12.33 EUR
100+ 11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011299585-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHG47N60E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 47 A, 0.053 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
auf Bestellung 1126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Hersteller : Vishay sihg47n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Hersteller : Vishay sihg47n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Produkt ist nicht verfügbar