SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 29.22 EUR |
| 25+ | 23.66 EUR |
| 100+ | 22.27 EUR |
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Technische Details SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 73A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHG73N60E-GE3 nach Preis ab 25.87 EUR bis 29.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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SIHG73N60E-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC |
auf Bestellung 113 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHG73N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG73N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 73 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 751 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHG73N60E-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIHG73N60E-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIHG73N60E-GE3 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |