SIHH070N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIHH070N60EF-T1GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHH070N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.071 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 202, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202, Bauform - Transistor: PowerPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: EF, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
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SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHH070N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.071 ohm, PowerPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 202 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 202 Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH070N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.071 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 202 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 202 Bauform - Transistor: PowerPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 93A; 202W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 93A Power dissipation: 202W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 4-Pin PowerPak EP T/R |
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SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 4-Pin PowerPak EP T/R |
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SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 36A 4-Pin PowerPak EP T/R |
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SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2647 pF @ 100 V |
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SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2647 pF @ 100 V |
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| SIHH070N60EF-T1GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 93A; 202W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 93A Power dissipation: 202W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 71mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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