SIHH24N65E-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SIHH24N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.15 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 50 Stücke:
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Technische Details SIHH24N65E-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHH24N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.15 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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SIHH24N65E-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHH24N65E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.15 ohm, PowerPAK 8 x 8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHH24N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 23A 4-Pin PowerPAK EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SiHH24N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SiHH24N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SiHH24N65E-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
Produkt ist nicht verfügbar |