SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details SIHP12N60E-E3

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Preis SIHP12N60E-E3 ab 1.85 EUR bis 7.12 EUR

SIHP12N60E-E3
SIHP12N60E-E3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Hersteller:
SiHP12N60E MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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