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SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3 Vishay


sihp12n6.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details SIHP12N60E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHP12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 147W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm.

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SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Hersteller : Vishay sihp12n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sihp12n6.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Hersteller : VISHAY sihp12n6.pdf Description: VISHAY - SIHP12N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.32 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 147W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
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SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Hersteller : Vishay sihp12n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Hersteller : Vishay sihp12n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SIHP12N60E-GE3 Hersteller : VISHAY sihp12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIHP12N60E-GE3 SIHP12N60E-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sihp12n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
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SIHP12N60E-GE3 Hersteller : VISHAY sihp12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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