auf Bestellung 764 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 7+ | 8.19 EUR |
| 10+ | 6.89 EUR |
| 25+ | 5.54 EUR |
| 100+ | 5.02 EUR |
| 250+ | 4.89 EUR |
| 500+ | 4.65 EUR |
| 1000+ | 4.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 12A, Pulsed drain current: 43A, Power dissipation: 156W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 193mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 32nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHP186N60EF-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay |
 SIHP186N60EF-GE3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| SIHP186N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 43A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 193mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
SIHP186N60EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SIHP186N60EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 43A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 193mΩ Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |