SIHP25N60EFL-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SIHP25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 25A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
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Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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Technische Details SIHP25N60EFL-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHP25N60EFL-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIHP25N60EFL-GE3 | Hersteller : Vishay |
SIHP25N60EFL-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHP25N60EFL-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2274 pF @ 100 V |
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SIHP25N60EFL-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
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