SIHS36N50D-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
Description: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 15.24 EUR |
30+ | 12.16 EUR |
120+ | 10.88 EUR |
510+ | 9.6 EUR |
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Technische Details SIHS36N50D-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 446W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: Super-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIHS36N50D-GE3 nach Preis ab 9 EUR bis 15.37 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET 500V N-CHANNEL |
auf Bestellung 3291 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 446W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: Super-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : Vishay | MOSFET N-CHANNEL 500V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIHS36N50D-GE3 | Hersteller : VISHAY | SIHS36N50D-GE3 THT N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |