SIHU6N80E-GE3
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Hersteller: VishaySIHU6N80E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Arrow.com
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Technische Details SIHU6N80E-GE3
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB, Packaging: Tube, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: IPAK (TO-251), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Preis SIHU6N80E-GE3 ab 1.59 EUR bis 1.82 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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;;3.jpg "SIHU6N80E-GE3") Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Packaging: Tube Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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