SIHW61N65EF-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SIHW61N65EF-GE3 Vishay Semiconductors
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 41A, Pulsed drain current: 199A, Power dissipation: 520W, Case: TO247AD, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 47mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 371nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SIHW61N65EF-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIHW61N65EF-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD |
auf Bestellung 457 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SIHW61N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIHW61N65EF-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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