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SIJ128LDP-T1-GE3

SIJ128LDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sij128ldp-2897275.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 80 V
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Technische Details SIJ128LDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 25.5, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 22.3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.3, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2917266.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 25.5
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 22.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sij128ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
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SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2917266.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 22.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sij128ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
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SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sij128ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SIJ128LDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sij128ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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