SIR122LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIR122LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 62.3, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIR122LDP-T1-RE3 nach Preis ab 1.43 EUR bis 3.15 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SIR122LDP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE |
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SIR122LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 62.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SIR122LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 62.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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SIR122LDP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY | SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
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