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SIR122LDP-T1-RE3

SIR122LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix


Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
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Technische Details SIR122LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 62.3, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 Hersteller : Vishay Siliconix Description: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
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SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3296219.pdf Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY 3296219.pdf Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SIR122LDP-T1-RE3 Hersteller : VISHAY SIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
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