SIR150DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
auf Bestellung 11984 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 26+ | 2.06 EUR |
| 29+ | 1.84 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.19 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 9000+ | 0.92 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIR150DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® SO8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 45V, Drain current: 110A, On-state resistance: 3.97mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 65.7W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 70nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Pulsed drain current: 300A, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIR150DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.98 EUR bis 2.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIR150DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A On-state resistance: 3.97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 300A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
|
|
SIR150DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
| SIR150DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 45V Drain current: 110A On-state resistance: 3.97mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 65.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 300A |
Produkt ist nicht verfügbar |