SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIR188DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 60, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 65.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6, Verlustleistung: 65.7, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIR188DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.88 EUR bis 4.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIR188DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 11850 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR188DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIR188DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6 Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 23796 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR188DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
SIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors |
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