SIR424DP-T1-GE3
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Technische Details SIR424DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V.
Preis SIR424DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SIR424DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R 
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SIR424DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Package / Case: PowerPAK® SO-8 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
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auf Bestellung 12163 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
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