SIR424DP-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Technische Details SIR424DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V.

Preis SIR424DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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Trans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SIR424DP-T1-GE3
SIR424DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
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SIR424DP-T1-GE3
SIR424DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
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SIR424DP-T1-GE3
SIR424DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
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