SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 41.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIR426DP-T1-GE3 nach Preis ab 1.05 EUR bis 2.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIR426DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V |
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SIR426DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 70678 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR426DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR426DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 4626 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR426DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIR426DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 31nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR426DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 26.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® SO8 Gate charge: 31nC Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 70A |
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