SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
sir470dp-1761586.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 11212 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
7+ 7.64 EUR
10+ 6.92 EUR
25+ 6.53 EUR
100+ 5.56 EUR

Technische Details SIR470DP-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SIR470, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc).

Preis SIR470DP-T1-GE3 ab 5.56 EUR bis 7.64 EUR

SIR470DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIR470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
sir470dp.pdf sir470dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIR470DP-T1-GE3
SIR470DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR470DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
sir470dp.pdf sir470dp.pdf
5860 Stücke
SIR470DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIR470DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
sir470dp.pdf sir470dp.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIR470DP-T1-GE3
SIR470DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660pF @ 20V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Base Part Number: SIR470
sir470dp.pdf
auf Bestellung 6000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SIR470DP-T1-GE3
SIR470DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SIR470
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
sir470dp.pdf
auf Bestellung 1858 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SIR470DP-T1-GE3
SIR470DP-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660pF @ 20V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Base Part Number: SIR470
sir470dp.pdf
auf Bestellung 6649 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)