SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SiR626DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SiR626DP-T1-RE3 nach Preis ab 1.32 EUR bis 4.37 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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SIR626DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 28820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR626DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 28820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SiR626DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5130 pF @ 30 V |
auf Bestellung 4786 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SiR626DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 3185 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR626DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIR626DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR626DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 104W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SiR626DP-T1-RE3 Produktcode: 197577 |
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 |
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SIR626DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SiR626DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.2A; 4W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.2A Power dissipation: 4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SiR626DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.2A; 4W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34.2A Power dissipation: 4W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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