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Technische Details SIR632DP-T1-RE3 Vishay
Description: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: ThunderFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm.
Weitere Produktangebote SIR632DP-T1-RE3 nach Preis ab 0.67 EUR bis 3.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SIR632DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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SiR632DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V |
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SiR632DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 7721 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR632DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR632DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR632DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 29 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 69.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm |
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SIR632DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 29A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
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| SiR632DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 29A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 29A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 69.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SiR632DP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 69.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 7.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 75 V |
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| SiR632DP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 29A; Idm: 50A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 29A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 69.5W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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