SIR640DP-T1-GE3
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Technische Details SIR640DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8, Base Part Number: SIR640, Package / Case: PowerPAK® SO-8, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SIR640DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® SO-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Tape & Reel (TR) 
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Base Part Number: SIR640 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930pF @ 20V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount
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