SIR664DP-T1-GE3
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Technische Details SIR664DP-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 30V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Package / Case: PowerPAK® SO-8.
Preis SIR664DP-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SIR664DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R 
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SIR664DP-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Package / Case: PowerPAK® SO-8
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8 Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 30V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8
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auf Bestellung 2968 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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