SIR670DP-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Technische Details SIR670DP-T1-GE3 VISHAY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 200A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 200A, Power dissipation: 56.8W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 63nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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