SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 66.6W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 4.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SIR826DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIR826DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET |
auf Bestellung 2799 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR826DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SIR826DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIR826DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A; 66.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 66.6W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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