SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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Technische Details SIR876ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIR876ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SIR876ADP-T1-GE3 nach Preis ab 2.14 EUR bis 4.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SIR876ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 14972 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIR876ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 50 V |
auf Bestellung 7490 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIR876ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR876ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR876ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIR876ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.009 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIR876ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIR876ADP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIR876ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 62.5W Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 14.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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| SIR876ADP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 80A Case: PowerPAK® SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 62.5W Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 14.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 49nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A |
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