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SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sira12bdp.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
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Technische Details SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm.

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SIRA12BDP-T1-GE3 SIRA12BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sira12bdp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
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SIRA12BDP-T1-GE3 SIRA12BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sira12bdp-1766725.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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1000+ 0.79 EUR
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SIRA12BDP-T1-GE3 SIRA12BDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira12bdp.pdf Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
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SIRA12BDP-T1-GE3 SIRA12BDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira12bdp.pdf Description: VISHAY - SIRA12BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
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SIRA12BDP-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sira12bdp.pdf SIRA12BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIRA12BDP-T1-GE3 SIRA12BDP-T1-GE3 Hersteller : Vishay sira12bdp.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP
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