SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 1.65 EUR |
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Technische Details SIRA50ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 219A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIRA50ADP-T1-RE3 nach Preis ab 1.74 EUR bis 3.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SIRA50ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8 |
auf Bestellung 6344 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIRA50ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V |
auf Bestellung 8498 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIRA50ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 219A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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SIRA50ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 219A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SIRA50ADP-T1-RE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 54.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SIRA50ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 175A; Idm: 400A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain current: 175A On-state resistance: 1.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 64W Gate charge: 150nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 400A Polarisation: unipolar Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 40V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SIRA50ADP-T1-RE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 175A; Idm: 400A Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain current: 175A On-state resistance: 1.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 64W Gate charge: 150nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 400A Polarisation: unipolar Case: PowerPAK® SO8 Drain-source voltage: 40V |
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