SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
auf Bestellung 2603 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 22+ | 2.44 EUR |
| 24+ | 2.19 EUR |
| 100+ | 1.71 EUR |
| 500+ | 1.41 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SIRC06DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A, Type of transistor: N-MOSFET + Schottky, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 60A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 32W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20/±-16V, On-state resistance: 4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 58nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Weitere Produktangebote SIRC06DP-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIRC06DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
|
SIRC06DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
|
SIRC06DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
 |
SIRC06DP-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SIRC06DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 32W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20/±-16V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
| SIRC06DP-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A Type of transistor: N-MOSFET + Schottky Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 60A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 32W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20/±-16V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |