SIS424DN-T1-GE3

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Technische Details SIS424DN-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Package / Case: PowerPAK® 1212-8.
Preis SIS424DN-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
SIS424DN-T1-GE3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Package / Case: PowerPAK® 1212-8 ![]() |
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