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Technische Details SIS496EDNT-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote SIS496EDNT-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIS496EDNT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
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SIS496EDNT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
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SIS496EDNT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SIS496EDNT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V |
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