SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
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Technische Details SIS822DNT-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 12A, On-state resistance: 30mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 10W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 12nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 30A, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.
Weitere Produktangebote SIS822DNT-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIS822DNT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET |
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| SIS822DNT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SIS822DNT-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIS822DNT-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 10W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A |
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