SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 21+ | 2.56 EUR |
| 26+ | 2.06 EUR |
| 100+ | 1.78 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.25 EUR |
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Technische Details SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 28, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 52, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 1.5, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote SIS892ADN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIS892ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SIS892ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
auf Bestellung 5378 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIS892ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 28 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 52 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.5 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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| SIS892ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SIS892ADN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SIS892ADN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; 52W; PowerPAK® 1212-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 52W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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