SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
sis892adn.pdf sis892adn.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 504 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)

126+ 1.28 EUR
127+ 1.23 EUR
130+ 1.16 EUR
164+ 0.88 EUR
250+ 0.83 EUR
500+ 0.72 EUR

Technische Details SIS892ADN-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V, Base Part Number: SIS892, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.

Preis SIS892ADN-T1-GE3 ab 0.72 EUR bis 1.28 EUR

SIS892ADN-T1-GE3
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
sis892adn.pdf
12000 Stücke
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
sis892adn.pdf sis892adn.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
sis892adn.pdf sis892adn.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
sis892adn.pdf sis892adn.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SIS892ADN-T1-GE3
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
sis892adn-1145261.pdf
auf Bestellung 5378 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SIS892ADN-T1-GE3
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
sis892adn.pdf
auf Bestellung 403 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SIS892ADN-T1-GE3
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Base Part Number: SIS892
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
sis892adn.pdf
auf Bestellung 15931 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SIS892ADN-T1-GE3
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
sis892adn.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen