SIS892ADN-T1-GE3
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Technische Details SIS892ADN-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V, Base Part Number: SIS892, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.
Preis SIS892ADN-T1-GE3 ab 0.72 EUR bis 1.28 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R 
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SIS892ADN-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS892ADN-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS892ADN-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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auf Bestellung 5378 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
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auf Bestellung 403 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Base Part Number: SIS892 Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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auf Bestellung 15931 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
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