SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Weitere Produktangebote SIS892DN-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SIS892DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
 MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V |
auf Bestellung 1815 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SIS892DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
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SIS892DN-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SIS892DN-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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