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SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3 Vishay


sisa14dn.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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Technische Details SISA14DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V.

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SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sisa14dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
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Mindestbestellmenge: 166
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay / Siliconix sisa14dn.pdf MOSFET For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
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SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sisa14dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
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SISA14DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sisa14dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Power dissipation: 17W
Pulsed drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20/±-16V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate charge: 29nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
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SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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SISA14DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY sisa14dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Power dissipation: 17W
Pulsed drain current: 80A
Gate-source voltage: ±20/±-16V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.5mΩ
Gate charge: 29nC
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
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