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SISF04DN-T1-GE3

SISF04DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

sisf04dn.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
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Technische Details SISF04DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.003ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.003ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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SISF04DN-T1-GE3 SISF04DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011905893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm
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SISF04DN-T1-GE3 SISF04DN-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011905893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 0.003 ohm
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SISF04DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sisf04dn.pdf Description: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
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500+ 2.01 EUR
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SISF04DN-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix sisf04dn.pdf Description: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 1212-8
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